メモリ用集積回路として広く使われている「半導体ダイナミックメモリ（DRAM：Dynamic Random Access Memory）」の基本構造を発明し、デジタル情報の記憶容量や処理能力を格段に高め、情報・通信技術の飛躍的発展を可能とした。また、集積回路に不可欠なMOS型電界効果トランジスタを微細化するための設計指針を、同僚の協力を得て提案し、DRAMを含む集積回路全般の驚異的進展にも貢献した。