Zhores Ivanovich Alferov

第17回(2001)受賞

先端技術部門

エレクトロニクス

ジョレス・イワノヴィッチ・アルフェロフ

/  物理学者

1930 -

ヨッフェ物理技術研究所 所長、ロシア科学アカデミー 副会長

記念講演会

私の人生とヘテロ構造の物語

2001年

11 /11

会場:国立京都国際会館

ワークショップ

半導体レーザ ―連続動作と将来への発展―

2001年

11 /12

13:00~17:30

会場:国立京都国際会館

業績ダイジェスト

半導体レーザーの室温連続動作達成による光エレクトロニクス発展への先駆的貢献

室温環境での半導体レーザーの連続レーザー発振動作を達成し、世界的なIT革命を支える情報インフラ構築に不可欠な役割を担うデバイスの実用化への道を拓き、今日の光エレクトロニクスの発展に先駆的な貢献をした。

贈賞理由

アルフェロフ博士ならびに林博士とパニッシュ博士は、1970年に、それまではきわめて困難であった半導体レーザの室温環境における連続動作を達成した。この成果は、その後の半導体レーザ実用化への道を拓き、今日の世界的なIT革命を支える情報インフラ構築に不可欠な役割を担うことになった光エレクトロニクスの発展に先駆的な貢献をした。

1962年に誕生した最初の半導体レーザはホモ接合のガリウム・ヒ素(GaAs)レーザで、液体窒素中でレーザ発振に成功したものの、レーザ発振に必要な最低電流密度である「しきい値」がきわめて高かったためにパルス動作に限られて実用化をはばんでいた。その後、光を導波路中に閉じ込める様々な努力、ストライプ状の電極にする方法、アルミニウム・ガリウム・ヒ素(AlGaAs)とガリウム・ヒ素のヘテロ構造の導入などいろいろな試みがなされたが、いくつもの技術上の壁が立ちはだかり、室温連続動作には至らなかった。このような状況の中、1970年、アルフェロフ博士がロシア(旧ソビエト)で、林博士とパニッシュ博士がアメリカで、ほぼ同時期に半導体レーザの室温連続動作に成功した。3氏が開発した半導体レーザの特徴は、光を放出するための薄膜状のガリウム・ヒ素活性層の両側をアルミニウム・ガリウム・ヒ素結晶層ではさむ二重へテロ構造により、発振しきい値電流密度を飛躍的に低減させたところにある。

この画期的な成果が基になって、その後有力な諸研究が活発になされ、半導体レーザの実用化への道が拓かれた。そして、半導体レーザを用いた様々な新しい技術が生み出され、その結果、光エレクトロニクスの分野が急速に発展し、世界の社会構造と産業構造に大きな変革をもたらしたのである。

今や半導体レーザの応用は、情報化社会を実現させる原動力となったインターネットで世界を結ぶ光ファイバー通信のみならず、CD(コンパクトディスク)やビデオディスクに代表される光記録、コンピュータのメモリ、レーザプリンタなどの情報処理、さらにディジタル出版のようなメディアの分野にも広がっている。

このような革新的な技術開発の原点になったのは、3氏によるアルミニウム・ガリウム・ヒ素系二重へテロ構造レーザによる室温連続動作であり、この達成なくして現在の光エレクトロニクスの隆盛はあり得なかったと言っても過言ではない。

よってアルフェロフ博士、林博士、パニッシュ博士に先端技術部門における2001年京都賞を贈呈する。

プロフィール

略歴
1930年
ソビエト、ベラルーシに生まれる
1952年
レニングラード電気技術大学卒業
1953年
ヨッフェ物理技術研究所技師
1964年
同上級研究員
1967年
同研究部長
1970年
博士号取得(物理,数学)
1989年
ロシア科学アカデミーレニングラード(現ペテルスブルグ)研究所常任幹部長、ヨッフェ物理技術研究所所長
主な受賞・栄誉
1971年
バレンタインメダル、フランクリン研究所(アメリカ)
1972年
レーニン賞
1978年
ヒューレット・パッカード ヨーロッパ物理学賞
1984年
ソビエト連邦国家賞
1996年
ヨッフェ賞、ロシア科学アカデミー
2000年
ノーベル物理学賞
会員
ロシア科学アカデミー副会長、ドイツ科学アカデミー、米国科学アカデミーハバナ大学名誉教授
主な論文
1969年
Coherent radiation of Epitaxial Heterojunction Structures in the AlAs-GaAs System. Soviet Phys. Semiconductors 2 (10). (with V. M. Andreev and others, 1969
1970年
AlAs-GaAs Heterojunction Injection Lasers with a Low Room Temperature Threshold. Soviet Physics-Semiconductors 3 (9). (with V. M. Andreev and others), 1970
1971年
Investigation of the influence of the AlAs-GaAs Heterostructure Parameters on the Laser Threshold Current and the Realization of Continuous Emission at Room Temperature. Soviet Physics-Semiconductors 4 (9). (with V. M. Andreev and others), 1971

プロフィールは受賞時のものです