Morton B. Panish

第17回(2001)受賞

先端技術部門

エレクトロニクス

モートン・B・パニッシュ

/  物理化学者

1929 -

アメリカ科学アカデミー、アメリカ工学アカデミー 会員

記念講演会

私の回想録

2001年

11 /11

会場:国立京都国際会館

ワークショップ

半導体レーザ ―連続動作と将来への発展―

2001年

11 /12

13:00~17:30

会場:国立京都国際会館

業績ダイジェスト

半導体レーザーの室温連続動作達成による光エレクトロニクス発展への先駆的貢献

室温環境での半導体レーザーの連続レーザー発振動作を達成し、世界的なIT革命を支える情報インフラ構築に不可欠な役割を担うデバイスの実用化への道を拓き、今日の光エレクトロニクスの発展に先駆的な貢献をした。

贈賞理由

アルフェロフ博士ならびに林博士とパニッシュ博士は、1970年に、それまではきわめて困難であった半導体レーザの室温環境における連続動作を達成した。この成果は、その後の半導体レーザ実用化への道を拓き、今日の世界的なIT革命を支える情報インフラ構築に不可欠な役割を担うことになった光エレクトロニクスの発展に先駆的な貢献をした。

1962年に誕生した最初の半導体レーザはホモ接合のガリウム・ヒ素(GaAs)レーザで、液体窒素中でレーザ発振に成功したものの、レーザ発振に必要な最低電流密度である「しきい値」がきわめて高かったためにパルス動作に限られて実用化をはばんでいた。その後、光を導波路中に閉じ込める様々な努力、ストライプ状の電極にする方法、アルミニウム・ガリウム・ヒ素(AlGaAs)とガリウム・ヒ素のヘテロ構造の導入などいろいろな試みがなされたが、いくつもの技術上の壁が立ちはだかり、室温連続動作には至らなかった。このような状況の中、1970年、アルフェロフ博士がロシア(旧ソビエト)で、林博士とパニッシュ博士がアメリカで、ほぼ同時期に半導体レーザの室温連続動作に成功した。3氏が開発した半導体レーザの特徴は、光を放出するための薄膜状のガリウム・ヒ素活性層の両側をアルミニウム・ガリウム・ヒ素結晶層ではさむ二重へテロ構造により、発振しきい値電流密度を飛躍的に低減させたところにある。

この画期的な成果が基になって、その後有力な諸研究が活発になされ、半導体レーザの実用化への道が拓かれた。そして、半導体レーザを用いた様々な新しい技術が生み出され、その結果、光エレクトロニクスの分野が急速に発展し、世界の社会構造と産業構造に大きな変革をもたらしたのである。

今や半導体レーザの応用は、情報化社会を実現させる原動力となったインターネットで世界を結ぶ光ファイバー通信のみならず、CD(コンパクトディスク)やビデオディスクに代表される光記録、コンピュータのメモリ、レーザプリンタなどの情報処理、さらにディジタル出版のようなメディアの分野にも広がっている。

このような革新的な技術開発の原点になったのは、3氏によるアルミニウム・ガリウム・ヒ素系二重へテロ構造レーザによる室温連続動作であり、この達成なくして現在の光エレクトロニクスの隆盛はあり得なかったと言っても過言ではない。

よってアルフェロフ博士、林博士、パニッシュ博士に先端技術部門における2001年京都賞を贈呈する。

プロフィール

略歴
1929年
ニューヨークに生まれる
1950年
デンバー大学卒業
1954年
博士号取得,物理化学,ミシガン州立大学
1954年
オークリッジ研究所
1957年
AVCO社RAD研究室技術スタッフ
1964年
ベル電話研究所(現ベル研究所)研究員
1969年
同研究所室長
1986年
同研究所特別研究員
1992年
同研究所退職
主な受賞・栄誉
1972年
エレクトロニクスディバージョン賞、電子化学協会(アメリカ)
1976年
アメリカ物理学会フェロー
1979年
ソリッド・ステート・アンド・テクノロジー賞(アメリカ)
1986年
C&C賞(林氏と)日本
1990年
国際結晶成長賞、アメリカ結晶成長協会
1990年
IEEEフェロー
1991年
モーリス・リンマン賞、アメリカ電気電子工業研究所
1994年
ジョン・バーディーン賞、アメリカ材料協会
会員
アメリカ科学アカデミー、アメリカ工学アカデミー
主な論文
1969年
A Low Threshold Room-Temperature Injection Laser. IEEE J. Quantum Electron, QE-5(4). (with I. Hayashi and P. W. Foy), 1969
1970年
Double Heterostructure Injection Lasers with Room-Temperature Thresholds as low as 2300A/cm2. Appl. Phys. Lett. 16(8). (with I. Hayashi and S. Sumski), 1970
1970年
Junction Lasers Which Operate Continuously at Room-Temperature. Appl. Phys. Lett. 17(3). (with I. Hayashi and others), 1970
1971年
GaAs-AlGaAs Double Heterostructure Injection Lasers. J. Appl. Phys. 42(5). (with I. Hayashi and F. K. Reinhart), 1971

プロフィールは受賞時のものです