KYOTO PRIZE 京都賞

先端技術部門

第33回(2017)京都賞記念ワークショップ

化合物半導体電子デバイス:発展の経緯と未来

先端技術部門 三村 髙志

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日時:2017年11月12日(日)13:00~17:10
会場:国立京都国際会館
企画・司会:横山 直樹[富士通研究所]

出演者

  • 横山 直樹横山 直樹
  • 榊 裕之榊 裕之
  • 榎木 孝知榎木 孝知
  • 篠原 啓介篠原 啓介
  • 廣瀬 達哉廣瀬 達哉
  • 安藤 恒也安藤 恒也
プログラム
開会挨拶・受賞者紹介 榊 裕之[豊田工業大学]
受賞者基調講演 三村 髙志[先端技術部門 受賞者]
「HEMTの発明と初期の開発」
講 演 榎木 孝知[NTTエレクトロニクス]
「化合物半導体トランジスタ技術の進化と大容量通信技術への展開」
講 演 篠原 啓介[テレダイン・サイエンティフィック・アンド・イメジング]
「高周波GaN系HEMT研究の進展と今後の展望」
講 演 廣瀬 達哉[富士通研究所]
「高周波パワーおよびパワーエレクトロニスのためのGaN HEMT技術」
講 演 安藤 恒也[東京工業大学]
「半導体ヘテロ構造の物理と発展」

主催:公益財団法人 稲盛財団
後援:京都府 京都市 NHK
協賛:応用物理学会 電気学会 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサイエティ
日本学術振興会 産学協力第151委員会 日本物理学会
IEEE EDS Japan Chapter

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